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VND830ETR-E |
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) | STMicroelectronics | 询价QQ: |
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VND830ETR-E参数 产品类别:集成电路 (IC)-PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 说明:IC DVR HIGH SIDE 2CH 16SOIC 包装数量:1000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:2 导通状态电阻:65 毫欧 电流 - 输出 / 通道:9.5A 电流 - 峰值输出:13.5A 电源电压:5.5 V ~ 36 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 圆形JR25WR-8P(71) 铝电容器B43254D2567M 芯片电阻 - 表面RW1S0BAR047FET 铝电容器B43456A5568M 陶瓷电容器VJ1808Y562JBGAT4X 矩形- 接头,公引929834-05-34-RK 鎸夐挳寮̈́800SP9B5M1REHC1RED 鑺墖鐢甸樆 - RT0402CRD0715R4L 铝电容器B43540B5277M60 Card EdgeGCM12DRAN |